نشریه پژوهش های نوین فیزیک
دوره 8، شماره 2 - ( پاییز و زمستان 1402 )
جلد 8 شماره 2 صفحات 49-44 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Aghababaei A. Thermal Transport in Silicon Naonowires. JMRPh 2024; 8 (2) :44-49
URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-125-fa.html
URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-125-fa.html
آقابابایی عزیزه. ترابرد گرما از طریق نانوسیم سیلیکون. نشریه پژوهش های نوین فیزیک. 1402; 8 (2) :44-49
دانشگاه دامغان
چکیده: (28 مشاهده)
نانوسیم سیلیکون به دلیل خواص الکتریکی، مکانیکی و کاربردهای بالقوه آن در بسیاری از زمینه ها از قبیل بیوسنسورها، در سالهای اخیر توانسته
توجه بسیاری از محققین را به خود جلب کند. ما در این پژوهش ترابرد فونون از طریق نانو سیم سیلیکون را، در حضور ناخالصی ایزوتوپ به صورت
نظری مورد بررسی قرار دادیم. خواص ترابرد گرمایی نانو سیم سیلیکون در جهت > 100 < ، با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی مطالعه شد
و اتمهای ناخالصی، در قسمت میانی ساختار قرار گرفتند. نتایج این تحقیق نشان داد که، در حضور ناخالصی ایزوتوپ، رسانندگی گرمایی کاهش
می یابد. همچنین اثر جرم اتم ناخالصی نیز مورد بررسی قرار گرفت؛ نتایج این مطالعه نیز، بیانگر این مطلب بود که، با افزایش جرم اتم ناخالصی،
رسانندگی گرمایی کاهش بیشتری می یابد؛ که علت آن را میبایست در وابستگی فرکانس فونون به جرم بررسی کرد.
توجه بسیاری از محققین را به خود جلب کند. ما در این پژوهش ترابرد فونون از طریق نانو سیم سیلیکون را، در حضور ناخالصی ایزوتوپ به صورت
نظری مورد بررسی قرار دادیم. خواص ترابرد گرمایی نانو سیم سیلیکون در جهت > 100 < ، با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی مطالعه شد
و اتمهای ناخالصی، در قسمت میانی ساختار قرار گرفتند. نتایج این تحقیق نشان داد که، در حضور ناخالصی ایزوتوپ، رسانندگی گرمایی کاهش
می یابد. همچنین اثر جرم اتم ناخالصی نیز مورد بررسی قرار گرفت؛ نتایج این مطالعه نیز، بیانگر این مطلب بود که، با افزایش جرم اتم ناخالصی،
رسانندگی گرمایی کاهش بیشتری می یابد؛ که علت آن را میبایست در وابستگی فرکانس فونون به جرم بررسی کرد.
فهرست منابع
1. J Hattori and S Uno, J. Appl. Phys. 52 04CN04 (2013). [DOI:10.7567/JJAP.52.04CN04]
2. S Sai, M.Sc. thesis of physics, National Institute of Technology Rourkela India (2013).
3. N Yang, G Zhang and B Li, Nano letters 8 276 (2008). [DOI:10.1021/nl0725998] [PMID]
4. L Weber, E Gmelin, App. Phys. A. 53 136 (1991). [DOI:10.1007/BF00323873]
5. A Boukai, Y Bunimovich, J Tahir-Kheli, J.K Yu, W.A Goddard lii and J.R Heath, Nature 451 168 (2008). [DOI:10.1038/nature06458] [PMID]
6. A. I Hochbaum, R Chen, R.D Delgado, W Liang, E.C Garnett, M Najarian, A Majumdar and P Yang, Nature 451 163 (2008). [DOI:10.1038/nature06381] [PMID]
7. W S Capinks, H J Maris, E Bauser, I Silier, M Asen-palmer, T Ruf, et. al., Appl. Phys. Lett. 71 2109 (1997). [DOI:10.1063/1.119384]
8. S Chen, Q Wu, C Mishra, J Kang, H Zhang, K Cho, et. al. Nat. Mater. 11 203 (2012). [DOI:10.1038/nmat3207] [PMID]
9. J. S Wang, J Wang, J.T Lu, Eur. Phys. J. B 62 381 (2008). [DOI:10.1140/epjb/e2008-00195-8]
10. R Landaure, Philosophical Magazine. 21 863 (1970). [DOI:10.1080/14786437008238472]
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |