logo
دوره 1، شماره 1 - ( پاییز و زمستان 1395 )                   جلد 1 شماره 1 صفحات 50-41 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

seyedi arani T S, shahshahani F, sabet dariani R, sajad B, shoorshini S Z. Experimental Analysis of Optical Constants of Silicon Wafer by Reflection Spectrum in the Energy Range of 2-5 eV. JMRPh 2017; 1 (1) :41-50
URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-28-fa.html
سیدی آرانی طاهره سادات، شهشهانی فاطمه، ثابت داریانی رضا، سجاد بتول، شورشینی سیده زهرا. بررسی تجربی ثابت‌های اپتیکی ویفرسیلیکان با استفاده از طیف بازتاب نور در بازۀ ‌انرژی eV 5-2. نشریه پژوهش های نوین فیزیک. 1395; 1 (1) :41-50

URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-28-fa.html


چکیده:   (2415 مشاهده)
در این مقاله ضریب شکست، ضریب جذب و ثابت‌های دی‌الکتریک ویفر سیلیکان نوع p  با جهت (100) با استفاده از طیف بازتاب نور از سطح سیلیکان به‌طور تجربی بررسی شده است. بررسی خواص اپتیکی این ویفر که به‌عنوان زیرلایۀ موج‌بر نوری استفاده می‌شود اهمیت ویژه‌ای دارد. ثابت‌های اپتیکی ویفر سیلیکان با استفاده از روش کرامرزکرونیگ و داده‌های تجربی طیف بازتاب، محاسبه ‌شده و سپس نتایج با داده‌­های چند مرجع مقایسه شده است. نتایج، توافق خوبی بین ثابت‌های اپتیکی مراجع و داده‌های تجربی طیف بازتاب و محاسبه شده برای نمونۀ موجود در آزمایشگاه به روش کرامرز-کرونیگ وجود دارد.
متن کامل [PDF 694 kb]   (2013 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي
دریافت: 1396/8/6 | پذیرش: 1396/8/6 | انتشار: 1396/8/6

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.