|
بررسی ساختار الکترونی، خواص مغناطیسی و اپتیکی نیم‌رسانایSn1-xCoxO2 با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی
|
منا رستمی   ، محمدابراهیم قاضی ، مرتضی ایزدی فرد |
|
|
|
چکیده: (1999 مشاهده) |
| در این مقاله ساختارالکترونی و خواص مغناطیسی و اپتیکی نمونه‌های خالص SnO2 و آلاییدۀ Sn1-xCoxO2 (0625/0، 125/0، 1875/0 و 25/0x=) با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی بررسی می‌شوند. اثر تهی جای اکسیژن روی خواص ساختاری و مغناطیسی نمونه‌ها نیز بررسی شد. با بررسی خواص مغناطیسی نمونه‌های آلاییده مشخص شد که افزایش غلظت آلایش سبب افزایش چگالی ترازهای انرژی مربوط به اوربیتال‌های d3Co- در نزدیکی تراز فرمی می‌شود. بررسی فاز پایدار مغناطیسی نمونه‌های آلاییده نشان داد که در آلایش‌های 5/12% و 25% فاز پایدار شبکه فرومغناطیس است. حضور تهی‌جای اکسیژن در نمونۀ فرومغناطیسی Sn0.875Co0.125O0.9375 نزدیک به یون کبالت منجر به افزایش گشتاور مغناطیسی یون‌های کبالت می‌شود. بررسی خواص اپتیکی نمونۀ خالص و نمونه‌های آلاییده با 25/6%، 5/12% و 25% کبالت نشان داد که با افزایش غلظت آلایش تا 5/12%، گاف نواری اپتیکی کاهش و سپس با افزایش بیش‌تر آن تا 25%، گاف نواری اپتیکی افزایش می‌یابد. با افزایش آلایش تا 5/12%، شدت مربوط به اولین قله‌ها در طیف تابع دی‌الکتریک نمونه‌ها، هم‌چنین ضرایب درآشامی و خاموشی افزایش و شدت مربوط به قله‌های ظاهر شده در محدودۀ انرژی‌های بالاتر ازeV6 کاهش می‌یابند. با توجه به طیف‌های بازتابندگی و ضریب درآشامی مشخص شد که با افزایش غلظت آلایش تا 5/12% میزان عبور فوتون در ناحیۀ مرئی کاهش می‌یابد. |
|
| واژه‌های کلیدی: نظریۀ تابعی چگالی، خواص مغناطیسی، اکسید قلع آلاییده با کبالت، خواص اپتیکی، تهی‌جا |
|
|
متن کامل [PDF 1729 kb]
(2711 دریافت)
|
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
عمومى
دریافت: 1396/8/3 | پذیرش: 1396/8/3 | انتشار: 1396/8/3
|
|
|
|
|
|
