نشریه پژوهش های نوین فیزیک
دوره 1، شماره 1 - ( پاییز و زمستان 1395 )
جلد 1 شماره 1 صفحات 30-13 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
rostami M, ghazi M E, izadifard M. Study of Electronic Structure, Magnetic and Optical Properties of Sn1-xCoxO2 Semiconductors using Density Functional Theory. پژوهش های نوین فیزیک 2017; 1 (1) :13-30
URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-26-fa.html
URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-26-fa.html
رستمی منا، قاضی محمدابراهیم، ایزدی فرد مرتضی. بررسی ساختار الکترونی، خواص مغناطیسی و اپتیکی نیم‌رسانایSn1-xCoxO2 با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی. نشریه پژوهش های نوین فیزیک. 1395; 1 (1) :13-30
چکیده: (2294 مشاهده)
در این مقاله ساختارالکترونی و خواص مغناطیسی و اپتیکی نمونه‌های خالص SnO2 و آلاییدۀ Sn1-xCoxO2 (0625/0، 125/0، 1875/0 و 25/0x=) با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی بررسی می‌شوند. اثر تهی جای اکسیژن روی خواص ساختاری و مغناطیسی نمونه‌ها نیز بررسی شد. با بررسی خواص مغناطیسی نمونه‌های آلاییده مشخص شد که افزایش غلظت آلایش سبب افزایش چگالی ترازهای انرژی مربوط به اوربیتال‌های d3Co- در نزدیکی تراز فرمی می‌شود. بررسی فاز پایدار مغناطیسی نمونه‌های آلاییده نشان داد که در آلایش‌های 5/12% و 25% فاز پایدار شبکه فرومغناطیس است. حضور تهی‌جای اکسیژن در نمونۀ فرومغناطیسی Sn0.875Co0.125O0.9375 نزدیک به یون کبالت منجر به افزایش گشتاور مغناطیسی یون‌های کبالت می‌شود. بررسی خواص اپتیکی نمونۀ خالص و نمونه‌های آلاییده با 25/6%، 5/12% و 25% کبالت نشان داد که با افزایش غلظت آلایش تا 5/12%، گاف نواری اپتیکی کاهش و سپس با افزایش بیش‌تر آن تا 25%، گاف نواری اپتیکی افزایش می‌یابد. با افزایش آلایش تا 5/12%، شدت مربوط به اولین قله‌ها در طیف تابع دی‌الکتریک نمونه‌ها، هم‌چنین ضرایب درآشامی و خاموشی افزایش و شدت مربوط به قله‌های ظاهر شده در محدودۀ انرژی‌های بالاتر ازeV6 کاهش می‌یابند. با توجه به طیف‌های بازتابندگی و ضریب درآشامی مشخص شد که با افزایش غلظت آلایش تا 5/12% میزان عبور فوتون در ناحیۀ مرئی کاهش می‌یابد.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |