[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: صفحه اصلي :: درباره نشريه :: آخرين شماره :: تمام شماره‌ها :: جستجو :: ثبت نام :: ارسال مقاله :: تماس با ما ::
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی
آرشیو مجله و مقالات
کلیه شماره‌های مجله
آخرین شماره
اطلاعات نشریه
درباره نشریه
هیات تحریریه
اهداف و زمینه‌ها
اخبار نشریه
برای نویسندگان
راهنمای نگارش مقاله
راهنمای ارسال مقاله
فرم ارسال مقاله
فرم تعارض منافع
فرم تعهدنامه
برای داوران
راهنمای داوران
ثبت نام و اشتراک
اطلاعات ثبت نام
فرم ثبت نام
تماس با ما
اطلاعات تماس
فرم برقراری ارتباط
تسهیلات پایگاه
راهنمای صفحات
جستجو در پایگاه
صفحه پرسش‌های متداول
صفحه برترین‌های پایگاه
اطلاع‌رسانی به دوستان
بایگانی مقالات زیر چاپ
اصول اخلاقی نشریه
::
شناسنامه نشریه
صاحب امتیاز

دانشگاه خوارزمی

مدیرمسئول

دکتر محمدحسین مجلس آرا

سردبیر

دکتر محمد اسمعیل عظیم عراقی

شاپا چاپی

2588-493X

شاپا الکترونیکی

2588-4921

..
جستجو در پایگاه

جستجوی پیشرفته
..
دریافت اطلاعات پایگاه
نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه، در کادر زیر وارد کنید.
..
:: دوره 1، شماره 1 - ( پاییز و زمستان 1395 ) ::
جلد 1 شماره 1 صفحات 30-13 برگشت به فهرست نسخه ها
بررسی ساختار الکترونی، خواص مغناطیسی و اپتیکی نیم‌رسانایSn1-xCoxO2 با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی
منا رستمی ، محمدابراهیم قاضی ، مرتضی ایزدی فرد
چکیده:   (1980 مشاهده)
در این مقاله ساختارالکترونی و خواص مغناطیسی و اپتیکی نمونه‌های خالص  SnO2 و آلاییدۀ Sn1-xCoxO2  (0625/0، 125/0، 1875/0 و 25/0x=) با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی بررسی می‌شوند. اثر تهی جای اکسیژن روی خواص ساختاری و مغناطیسی نمونهها نیز بررسی شد. با بررسی خواص مغناطیسی نمونه‌های آلاییده مشخص شد که افزایش غلظت آلایش سبب افزایش چگالی ترازهای انرژی مربوط به اوربیتال‌های d3Co- در نزدیکی تراز فرمی می‌شود. بررسی فاز پایدار مغناطیسی نمونه‌های آلاییده نشان داد که در آلایش‌های 5/12% و 25% فاز پایدار شبکه فرومغناطیس است. حضور تهی‌جای اکسیژن در نمونۀ فرومغناطیسی Sn0.875Co0.125O0.9375 نزدیک به یون کبالت منجر به افزایش گشتاور مغناطیسی یون‌های کبالت می‌شود. بررسی خواص اپتیکی نمونۀ خالص و نمونه‌های آلاییده با 25/6%، 5/12% و 25% کبالت نشان داد که با افزایش غلظت آلایش تا 5/12%، گاف نواری اپتیکی کاهش و سپس با افزایش بیش‌تر آن تا 25%، گاف نواری اپتیکی افزایش می‌یابد. با افزایش آلایش تا 5/12%، شدت مربوط به اولین قله‌ها در طیف تابع دی‌الکتریک نمونه‌ها، هم‌چنین ضرایب درآشامی و خاموشی افزایش و شدت مربوط به قله‌های ظاهر شده در محدودۀ انرژی‌های بالاتر ازeV6 کاهش می‌یابند. با توجه به طیف‌های بازتابندگی و ضریب درآشامی مشخص شد که با افزایش غلظت آلایش تا 5/12% میزان عبور فوتون در ناحیۀ مرئی کاهش می‌یابد.
واژه‌های کلیدی: نظریۀ تابعی چگالی، خواص مغناطیسی، اکسید قلع آلاییده با کبالت، خواص اپتیکی، تهی‌جا
متن کامل [PDF 1729 kb]   (2683 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: عمومى
دریافت: 1396/8/3 | پذیرش: 1396/8/3 | انتشار: 1396/8/3
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA



XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

rostami M, ghazi M E, izadifard M. Study of Electronic Structure, Magnetic and Optical Properties of Sn1-xCoxO2 Semiconductors using Density Functional Theory. Journal title 2017; 1 (1) :13-30
URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-26-fa.html

رستمی منا، قاضی محمدابراهیم، ایزدی فرد مرتضی. بررسی ساختار الکترونی، خواص مغناطیسی و اپتیکی نیم‌رسانایSn1-xCoxO2 با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی. عنوان نشریه. 1395; 1 (1) :13-30

URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-26-fa.html



بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.
دوره 1، شماره 1 - ( پاییز و زمستان 1395 ) برگشت به فهرست نسخه ها
پژوهش های نوین فیزیک Journal Modern Research Physics
Persian site map - English site map - Created in 0.16 seconds with 38 queries by YEKTAWEB 4642