بررسی تجربی ثابت‌های اپتیکی ویفرسیلیکان با استفاده از طیف بازتاب نور در بازۀ ‌انرژی eV 5-2

نویسندگان

چکیده
در این مقاله ضریب شکست، ضریب جذب و ثابت‌های دی‌الکتریک ویفر سیلیکان نوع p با جهت (100) با استفاده از طیف بازتاب نور از سطح سیلیکان به‌طور تجربی بررسی شده است. بررسی خواص اپتیکی این ویفر که به‌عنوان زیرلایۀ موج‌بر نوری استفاده می‌شود اهمیت ویژه‌ای دارد. ثابت‌های اپتیکی ویفر سیلیکان با استفاده از روش کرامرزکرونیگ و داده‌های تجربی طیف بازتاب، محاسبه ‌شده و سپس نتایج با داده‌­های چند مرجع مقایسه شده است. نتایج، توافق خوبی بین ثابت‌های اپتیکی مراجع و داده‌های تجربی طیف بازتاب و محاسبه شده برای نمونۀ موجود در آزمایشگاه به روش کرامرز-کرونیگ وجود دارد.

کلیدواژه‌ها


عنوان مقاله English

Experimental Analysis of Optical Constants of Silicon Wafer by Reflection Spectrum in the Energy Range of 2-5 eV

نویسندگان English

tahereh sadat seyedi arani
fatemeh shahshahani
reza sabet dariani
batoul sajad
seyedeh zahra shoorshini
چکیده English

In this paper reflection index, absorption coefficient and optical constants of p-type silicon wafer with (100) orientation have been experimentally studied by using reflection spectrum from silicon surface. This wafer has been used as a substrate for fabrication of waveguide, so its optical properties have certain importance. In this paper, optical constants of Si wafer is calculated by using Kramers-Kronig method and reflection spectrum experimental data and then our results are compared with some references. The results have good agreement between optical constants of the references and reflection spectrum experimental data and calculated for existence sample in the Lab by using Kramers-Kronig method.

کلیدواژه‌ها English

Optical constants
Silicon wafer
Reflection spectrum
Kramers-Kronig method