نشریه پژوهش های نوین فیزیک
دوره 2، شماره 2 - ( پاییز و زمستان 1396 )
جلد 2 شماره 2 صفحات 10-1 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
ebrahiminejad Z, Sabet Dariani R, Masoudi F. Study of roughness parameters effect on I-V characteristic of resonant tunneling diodes. پژوهش های نوین فیزیک 2018; 2 (2) :1-10
URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-61-fa.html
URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-61-fa.html
ابراهیمی نژاد ژاله، ثابت داریانی رضا، مسعودی سید فرهاد. بررسی تاثیر پارامترهای ناهمواری بر مشخصۀ جریان - ولتاژ دیودهای تونل زنی تشدیدی. نشریه پژوهش های نوین فیزیک. 1396; 2 (2) :1-10
چکیده: (2835 مشاهده)
در این مقاله، تاثیر پراکندگی الکترون، به دلیل حضور فصول مشترک ناهموار، بر رسانش الکتریکی در ساختارهای تونلزنی بررسی شده است. ساختار تونلزنی یک پنج لایهای (دوسدی) است که تمامی لایهها نیمه رسانا هستند. محاسبات در چارچوب الکترون نسبتاً آزاد و روش ماتریس انتقال انجام شده است. تاثیر پارامترهای مختلف ناهمواری شامل ارتفاع ناهمواری، طول همبستگی و نمای زبری بر رسانش الکتریکی در دمای صفر مطالعه شده است.نتایج امان نشان داد که افزایش ناهمواری منجر به افزایش پراکندگی الکترونهای فرودی میگردد و همچنین باعث کاهش یافتن احتمال عبور الکترونها و در نتیجه، کاهش ترابرد الکتریکی از ساختارهای تونلزنی میشود. از طرف دیگر با افزایش نمای زبری، ناهمواریهای سطح نرمتر شده و فصول مشترک، نسبت به نماهای زبری بزرگتر، کمتر ناهموار بهنظر میرسند. تاثیر مربوط به تغییر بیش از یک مشخصهی ناهمواری بر جریان تونلزنی منجر به نتایج جالبی شده است که میتواند در ساخت قطعات الکترونیکی مورد توجه قرار گیرد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |