|
رسانش الکترونی نانو نوارهای گرافینی در حضور اثر آهارانوف ـ بوهم
|
محمد مردانی   ، حسن ربانی ، محمود برزویی |
|
|
|
چکیده: (1773 مشاهده) |
| در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی و هم‌چنین تقریب نزدیک‌ترین همسایۀ رسانش الکترونی نانو نوارهای گرافینی دستۀ صندلی و زیگزاگ متصل به دو هادی فلزی در حضور میدان مغناطیسی موضعی را بررسی میکنیم. نتایج نشان میدهد که وجود شار مغناطیسی در یک نانو نوار دسته صندلی، باعث کوچک‌تر شدن گاف ذاتی نانو نوار و ایجاد دو ضدتشدید در طیف رسانش میشود. در موردی که تمام حلقهها حاوی شار مغناطیسی یک‌نواخت باشند، قسمتی از ناحیۀ تشدیدی به ناحیۀ تونلزنی تبدیل شده که نشاندهندۀ گاف انرژی جدیدی در طیف رسانش است. هم‌چنین در یک نانو نوار زیگزاگ که به‌طور ترانس به دو هادی ساده متصل است، در غیاب میدان مغناطیسی چند تشدید فانو در طیف رسانش آن قابل مشاهده است. شار مغناطیسی میتواند آنها را از بین برده و ضدتشدیدهای جدیدی ایجاد کند. |
|
| واژه‌های کلیدی: تابع گرین، بستگی قوی، نانو نوارهای گرافین، آهارانوف ـ بوهم |
|
|
متن کامل [PDF 510 kb]
(804 دریافت)
|
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
تخصصي
دریافت: 1396/8/6 | پذیرش: 1396/8/6 | انتشار: 1396/8/6
|
|
|
|
|
|
|
| ارسال پیام به نویسنده مسئول |
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
