|
اثر پارامترهای مختلف بر شدت جذب و باند گپ بلور فوتونی پلاسمایی سه تایی با احتساب اثرات گرمایی و برخوردی پلاسما
|
زینب رحمانی   ، ناهید رضایی |
|
|
|
چکیده: (883 مشاهده) |
| در این مطالعه، انتشار امواج الکترومغناطیس و ساختار باند گپ در یک بلور فوتونی پلاسمایی یک بعدی سه تایی شامل پلاسمای برخوردی با در نظر گرفتن سرعت حرارتی الکترونها بررسی شده است. هر سلول واحد ساختار متشکل از لایه های دی الکتریکI_پلاسما_دی الکتریکII می باشد. پلاسما نوعی ماده پاشنده است، یعنی ضریب شکست آن به فرکانس موج الکترومغناطیسی فرودی وابسته است. همین ویژگی ، بلور فوتونی پلاسمایی را از سایر بلورهای فوتونی معمول متمایز می کند. در این مقاله با استفاده از روش ماتریس انتقال، شدت جذب و انعکاس امواج الکترومغناطیس با قطبش TE هنگامی که به طور عمود و مورب بر بلور فوتونی فرود می آید، مورد مطالعه قرار می گیرد. نتایج شبیه سازی نشان می دهند با تغییر پارامترهای مختلف بلور فوتونی مانند ضخامت و دمای الکترونی لایه پلاسما، ثابت دی الکتریک و ضخامت لایه های دی الکتریک، می توان پهنا، تعداد و محل نوارهای گاف را بصورت هدفمند تنظیم کرد و شدت جذب موج فرودی را کنترل کرد. |
|
| واژه‌های کلیدی: بلور فوتونی سه تایی، پلاسمای برخوردی، سرعت حرارتی الکترون، نوار گاف، جذب |
|
|
متن کامل [PDF 918 kb]
(356 دریافت)
|
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
تخصصي
دریافت: 1399/5/29 | پذیرش: 1400/3/23 | انتشار: 1400/6/23
|
|
|
|
|
|
|
| ارسال پیام به نویسنده مسئول |
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
