نشریه پژوهش های نوین فیزیک
دوره 10، شماره 1 - ( بهار و تابستان 1404 )
جلد 10 شماره 1 صفحات 50-43 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Naji J, hataminia A, Ghasemian K. Tunneling of quasiparticles in graphene under strain. JMRPh 2025; 10 (1) :43-50
URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-265-fa.html
URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-265-fa.html
ناجی جلیل، حاتمی نیا افسانه، قاسمیان خدیجه. تونل زنی شبه ذرات در گرافن تحت تنش. نشریه پژوهش های نوین فیزیک. 1404; 10 (1) :43-50
دانشگاه ایلام
چکیده: (32 مشاهده)
گرافن یک نیمه هادی بدون گاف انرژی است که برای استفاده از ان در کاربردهایی نظیر نانو الکترونیکی ایجاد یک شکاف محدود در نوار انرژی و در نقاط دیراک لازم است. در اینجا با استفاده از مدل تنگ بست قوی تایر کرنش را در دو جهت زیگزاگ و دسته صندلی به بررسی انتقال انتقال شبه الکتونهای جرم دار و بدون جرم از سد پتانسیل یگانه و دوگانه در گرافن پرداخته ایم. مشخص شد وقتی الکترون در فرود عمودی و غیر عمودی باشداحتمال انتقال تابع نوسانی از پاررامترهای تونل زنی مثل انرژی یا ارتفاع سد استو در نقاط تشدید احتمال عبور یک است.
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
تخصصي
دریافت: 1404/2/17 | پذیرش: 1404/7/11 | انتشار: 1404/6/31 | انتشار الکترونیک: 1404/6/31
دریافت: 1404/2/17 | پذیرش: 1404/7/11 | انتشار: 1404/6/31 | انتشار الکترونیک: 1404/6/31
فهرست منابع
1. Novoselov, K. S., Geim, A. K., Morozov, S. V., Jiang, D. E., Zhang, Y., Dubonos, S. V., ... & Firsov, A. A. Electric field effect in atomically thin carbon films. Science, 306 (5696), 666-669, 2004. [DOI:10.1126/science.1102896] [PMID]
2. Neto, A. C., Guinea, F., Peres, N. M., Novoselov, K. S., & Geim, A. K. The electronic properties of graphene. Reviews of modern physics, 81(1), 109, 2009. [DOI:10.1103/RevModPhys.81.109]
3. Avouris, P. Graphene: electronic and photonic properties and devices. Nano letters, 10(11), 4285-4294, 2010. [DOI:10.1021/nl102824h] [PMID]
4. Song, Yu, Han-Chun Wu, and Yong Guo. "Giant Goos-Hänchen shift in graphene double-barrier structures." Applied Physics Letters 100.25 (2012): 253116 [DOI:10.1063/1.4730440]
5. Mousa, Amr, Risto Ojajärvi, and Tero Heikkilä. "Optical response of graphene under strain." 2022.
6. Wang, L., Baumgartner, A., Makk, P., Zihlmann, S., Varghese, B. S., Indolese, D. I., ... & Schönenberger, C. Global strain-induced scalar potential in graphene devices. Communications Physics, 4(1), 147, 2021. [DOI:10.1038/s42005-021-00651-y]
7. Heyd, R., Charlier, A., & McRae, E. Uniaxial-stress effects on the electronic properties of carbon nanotubes. Physical Review B, 55(11), 6820, 1997. [DOI:10.1103/PhysRevB.55.6820]
8. Minot, E. D., Yaish, Y., Sazonova, V., Park, J. Y., Brink, M., & Mceuen, P. L. Tuning carbon nanotube band gaps with strain. Physical review letters, 90(15), 156401, 2023. [DOI:10.1103/PhysRevLett.90.156401] [PMID]
9. Sahu, S., & Rout, G. C. Band gap opening in graphene: a short theoretical study. International Nano Letters, 7(2), 81-89, 2017. [DOI:10.1007/s40089-017-0203-5]
10. Viana-Gomes, J., Pereira, V. M., & Peres, N. M. R.. Magnetism in strained graphene dots. Physical Review B, 80(24), 245436, 2017. [DOI:10.1103/PhysRevB.80.245436]
11. Xu, X. G., Zhang, C., Xu, G. J., & Cao, J. C. Electron tunneling in single layer graphene with an energy gap. Chinese Physics B, 20(2), 027201, 2011. [DOI:10.1088/1674-1056/20/2/027201]
12. Chen, X., Deng, Z. Y., & Ban, Y.. Delay time and Hartman effect in strain engineered graphene. Journal of Applied Physics, 115(17), 173703, 2014. [DOI:10.1063/1.4873893]
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |