fa بررسی تاثیر پارامترهای ناهمواری بر مشخصۀ جریان - ولتاژ دیودهای تونل زنی تشدیدی نانوفیزیک Special پژوهشي Research <span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:14.0pt;">در این مقاله، تاثیر پراکندگی الکترون، به دلیل حضور فصول مشترک ناهموار، بر رسانش الکتریکی در ساختارهای تونل&shy;زنی بررسی شده است. ساختار تونل&shy;زنی یک پنج لایه&shy;ای (دوسدی) است که تمامی لایه&shy;ها نیمه رسانا هستند. محاسبات در چارچوب الکترون نسبتاً آزاد و روش ماتریس انتقال انجام شده است. تاثیر پارامترهای مختلف ناهمواری شامل ارتفاع ناهمواری، طول همبستگی و نمای زبری بر رسانش الکتریکی در دمای صفر مطالعه شده است.نتایج امان نشان داد که افزایش ناهمواری منجر به افزایش پراکندگی الکترون&shy;های فرودی می&shy;گردد و همچنین</span></span> <span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:14.0pt;">باعث کاهش یافتن احتمال عبور الکترون&shy;ها و در نتیجه، کاهش ترابرد الکتریکی از ساختارهای تونل&shy;زنی می&shy;شود. از طرف دیگر با افزایش نمای زبری، ناهمواری&shy;های سطح نرم&shy;تر شده و فصول مشترک، نسبت به نماهای زبری بزرگ&shy;تر، کمتر ناهموار به&shy;نظر می&shy;رسند. تاثیر مربوط به تغییر بیش از یک مشخصه&shy;ی ناهمواری بر جریان تونل&shy;زنی منجر به نتایج جالبی شده است که می&shy;تواند در ساخت قطعات الکترونیکی مورد توجه قرار گیرد.</span></span><span dir="LTR"><span style="font-size:14.0pt;"></span></span> In present paper, effect of electron scattering due to presence of rough interfaces is investigated on electrical conductance in tunneling structures. The tunneling structure is a fifth layer (double barriers) that all of them are semiconductor. Calculations are carried out in the frame work of nearly free electron approximation and transfer matrix method. Our results show that increasing of roughness results in increasing of incident electrons scattering and also cause to decreasing of transmission probability of electrons, and hence, decreasing of electrical transport through tunneling structures. Besides, with increasing of rough exponent, roughness of surface becomes smoother and into greater rough exponent, interfacial seems more plain. The influence of variation of more than one characteristic of roughness on tunneling current leads to interesting results that can regard in electronic devices fabrication. ناهمواری, مشخصۀ جریان-ولتاژ , دیود تونل زنی تشدیدی, پراکندگی الکترون Roughness, I-V characteristic, Resonant tunneling diode, Electron scattering. 1 10 http://jmrph.khu.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-75-1&slc_lang=fa&sid=1 Zhaleh ebrahiminejad ژاله ابراهیمی نژاد 1003194753284600475 1003194753284600475 Yes reza Sabet Dariani رضا ثابت داریانی 1003194753284600476 1003194753284600476 No Farhad Masoudi سید فرهاد مسعودی 1003194753284600477 1003194753284600477 No