fa لایه نشانی نانو سیم های مغناطیسی با روش لانگمور-بلاجت و در حضور میدان مغناطیسی خارجی نانوفیزیک Special پژوهشي Research <span style="font-size:11pt"><span style="line-height:normal"><span style="direction:rtl"><span style="unicode-bidi:embed"><span style="font-family:Calibri,sans-serif"><span lang="FA" style="font-size:12.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:">چینش و هم‌آرایی کنترل‌شده نانوسیم‌ها در توسعه و گسترش کاربرد آنها در اپتوالکترونیک، نانوالکترونیک، حسگرها و ادوات اسپینترونیک نقش بسیار مهمی دارد. چینش نانوساختارهای یک‌بعدی با استفاده از روش‌های مختلفی مانند دستکاری‌نوری، میکروسیالات، میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی انجام‌ شده‌ است.</span></span> <span lang="FA" style="font-size:12.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:">ما در این مقاله، از روش لانگمویر-بلاجت برای لایه‌نشانی نانوسیم‌های مغناطیسی در حضور میدان‌مغناطیسی خارجی بر روی سطوح جامد استفاده کرده‌ایم. پس از تمیز کردن نانوسیم‌های مغناطیسی سنتز شده با روش رسوب‌الکتریکی با ولتاژ مستقیم و قالب اکسیدآلومینیم با قطر حفره 200 &nbsp;نانومتر، با استفاده از یک میکروسرنگ پلاستیکی آنها را روی سطح آب دو بار یونیزه شده در تشتک لانگمور (تفلونی) ریختیم. پس از متراکم سازی با دو میله متحرک، در یک فشار سطحی مشخص و در حضور میدان‌مغناطیسی خارجی ، فیلم های لانگمور به زیرلایه‌های جامد منتقل شدند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی تک لایه‌ها نشان می‌دهند که نانوسیم‌ها تقریبا هم جهت با میدان‌مغناطیسی قرار می‌گیرند. برای مقایسه فیلم نانوسیم‌ها با روش قطره چکانی در حضور و غیاب میدان‌مغناطیسی خارجی&nbsp; و همچنین روش لانگمور- بلاجت در غیاب میدان‌مغناطیسی تهیه گردید. این مقایسه نشان داد که فقط با روش لانگمور- بلاجت می‌توان فیلم تک لایه از نانوسیم‌ها تهیه نمود. ارزانی، سرعت عمل بالا، لایه‌نشانی در مساحت‌های بزرگ و همچنین تنوع در مورفولوژی تک لایه‌ها از اهمیت‌ها و مزایای روش لانگمور- بلاجت هستند.</span></span></span></span></span></span></span><br> <br> &nbsp; The controlled arrangement of nanowires plays a very important role in the development of their application in optoelectronics, nanoelectronics, sensors and spintronic devices.&nbsp;The arrangement of one-dimensional nanostructures has been done using different techniques such as optical manipulation, microfluidics, electric and magnetic fields.&nbsp;In this article, we have used the Langmuir-Blodgett technique for the deposition of magnetic nanowires in the presence of an external magnetic field on solid surfaces.&nbsp;We synthesized magnetic nanowires using direct voltage electrodeposition method and aluminum oxide template, with a hole diameter of 200 nm. After cleaning, we dropcasted the nanowires on the surface of deionized water in a Langmuir trough (Teflon) using a plastic microsyringe.&nbsp;Using two moving barriers, the magnetic nanowires were collected on the subphase (water) surface and at a certain surface pressure and in the presence of an external magnetic field, Langmuir films were transferred to solid substrates. The scanning electron microscope images of the monolayers show that the nanowires are aligned almost in the same direction as the magnetic field.&nbsp;In order to compare the Langmuir&ndash;Blodgett films of nanowires with the dropcasting method, films of nanowires using dropcasting method were prepared in the presence and absence of an external magnetic field. This comparison showed that a monolayer film of nanowires can be prepared only by the Langmuir-Blodgett method. Cheapness, high operating speed, layering in large areas, as well as diversity in the morphology of single layers are the importance and advantages of the Langmuir-Blodgett technique. نانوسیم مغناطیسی, لایه نشانی, لانگمویر-بلاجت, فیلم, میدان معناطیسی Magnetic nanowires, Deposition, Langmuir–Blodgett, Film, Magnetic field 8 17 http://jmrph.khu.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-345-1&slc_lang=fa&sid=1 Abdollah Hassanzadeh عبدالله حسن زاده a.hassanzadeh@uok.ac.ir 10031947532846001247 10031947532846001247 Yes University of Kurdistan دانشگاه کردستان Siyamand Saleh Khasraw سیامند صالح خسرو siyamand.salih@chu.edu.iq 10031947532846001248 10031947532846001248 No University of Kurdistan دانشگاه کردستان Kashan Burhan Mohmed کاشان برهان محمد kashan.borhan@uok.ac.ir 10031947532846001249 10031947532846001249 No University of Kurdistan دانشگاه کردستان Somayeh Ghaderi سمیه قادری s.ghadery@uok.ac.ir 10031947532846001250 10031947532846001250 No University of Kurdistan دانشگاه کردستان Rahman Hallaj رحمان حلاج rhallaj@uok.ac.ir 10031947532846001251 10031947532846001251 No University of Kurdistan دانشگاه کردستان