fa بررسی کاربرد ساختار با لایه‌ی فعال پروسکایت و اتصال فلزی آلومینیوم به عنوان ممریستور نانوفیزیک Special پژوهشي Research <span style="font-size:12pt"><span style="line-height:23.0pt"><span style="direction:rtl"><span style="unicode-bidi:embed"><span new="" roman="" style="font-family:" times=""><span lang="FA" style="font-size:10.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:">در این پژوهش به مسئله‌ی حرکت حامل‌های یونی در داخل پروسکایت پرداختیم که به عنوان لایه‌ی فعال در ساختار استفاده شد. این حامل‌ها می‌توانند منجر به ایجاد پسماند در نمودار ولتامتری چرخه ای دستگاه ساخته شده گردد. سایر لایه‌های دستگاه از جمله اتصال فلزی نیز می‌توانند در جریان‌ها نقش بازی کنند. برای بررسی این مسئله ما نقش اتصال فلزی آلومینیوم را بررسی کردیم. همچنین بین اتصال فلزی و پروسکایت لایه‌ی اسپایرو امتاد </span></span><span dir="LTR" style="font-size:10.0pt">&nbsp;(Spiro-OMeTAD)</span><span lang="FA" style="font-size:10.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:">قرار دادیم و نقش آن را در رفتار قطعه بررسی کردیم. طبق نتایج نمودارهای ولتامتری چرخه‌ای در عدم حضور تابش در نمودارها یک قله مشاهده شد که می‌توان آن را به بروز یک واکنش اکسایش-کاهش در ساختار انتساب داد. چون یون‌ها در ساختار متحرک هستند، در اثر این حرکت، یون‌های ید به سمت اتصال فلزی آلومینیوم حرکت می‌کنند و با آلومینیوم واکنش داده و تشکیل آلومینیوم یدید می‌دهند. این نوع رفتار (قله‌ی واکنش اکسایش-کاهش) در این دستگاه، عکس العمل خازنی نامیده می‌شود که برای دستگاه ممریستور مطلوب نمی باشد. نوعی رفتار به نام عکس العمل القایی وجود دارد که برای ممریستورها مطلوب است و در قطعات ساخته شده مشاهده نشد.</span></span></span></span></span></span></span><br> &nbsp; <h3 style="text-align:justify; margin-bottom:11px"><span style="font-size:12pt"><span style="line-height:23.0pt"><span style="unicode-bidi:embed"><span new="" roman="" style="font-family:" times=""><span style="font-size:10.0pt"><span style="font-weight:normal">In the present research, we addressed the movement of ionic carriers inside perovskite, which was used as an active layer in the structure. These carriers can lead to the creation of hysteresis in the cyclic voltammetry diagram of the device</span></span><span dir="RTL" lang="FA" style="font-size:10.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:"><span style="font-weight:normal">.</span></span></span> <span style="font-size:10.0pt"><span style="font-weight:normal">Other layers of the device, including the metal contacts, can also play a role in the currents. To investigate this issue, we investigated the role of aluminum metal contact. In addition, we placed a Spiro-OMeTAD layer between the metal contact and the perovskite and investigated its role in the device&#39;s behavior</span></span><span dir="RTL" lang="FA" style="font-size:10.0pt"><span b="" nazanin="" style="font-family:"><span style="font-weight:normal">.</span></span></span> <span style="font-size:10.0pt"><span style="font-weight:normal">According to the results of the cyclic voltammetry analysis, a peak was observed in the absence of radiation in the diagrams, which can be attributed to the occurrence of a Redox reaction in the structure. Because the ions are mobile in the structure, as a result of this movement, the iodine ions move towards the metal contact of aluminum and react with aluminum to form aluminum iodide. This type of behavior (related to the peak of Redox reaction) in this device is called capacitive behavior, which is not desirable for memristor devices. There is a type of behavior called inductive behavior, which is desirable for memristors and was not observed in the fabricated devices.</span></span></span></span></span></span></h3> ممریستور پروسکایتی, جریان یونی, پسماند, اتصال فلزی, آلومینیوم Perovskite Memristor, Ionic Current, Hysteresis, Metal Contact, Aluminum 15 23 http://jmrph.khu.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-307-1&slc_lang=fa&sid=1 Saeed Salehpour سعید صالح پور sd.salehpour@gmail.com 10031947532846001145 10031947532846001145 Yes Physics Department, Faculty of Basic Sciences, University of Mazandaran, Babolsar, Iran دانشگاه مازندارن، دانشکده علوم پایه، گروه فیزیک، بابلسر، ایران