fa تخمین تحرک‌پذیری سیستم یک بعدی نانونوار گالیم نیترید در حضور ناخالصی یونیزه شده نانوفیزیک Special پژوهشي Research <span style="font-size:11pt"><span style="direction:rtl"><span style="unicode-bidi:embed"><span style="line-height:115%"><span calibri="" style="font-family:"><span lang="FA" style="font-size:12.0pt"><span style="line-height:115%"><span b="" nazanin="" style="font-family:">ترکیبات نیترات با گاف نواری وسیع خود جایگاه مهمی در حوزه اپتوالکترونیک و قطعات الکترونیکی با توان و فرکانس بالا یافته‌اند. از میان آنها </span></span></span><span dir="LTR" style="font-size:10.0pt"><span style="line-height:115%"><span new="" roman="" style="font-family:" times="">GaN</span></span></span><span lang="FA" style="font-size:12.0pt"><span style="line-height:115%"><span b="" nazanin="" style="font-family:"> مهمترین و پرکاربردترین نیترید سه ظرفیتی است. در این پژوهش، تحرک‌پذیری سیستم یک بعدی نانونوار گالیم نیترید در حضور ناخالصی یونیزه شده در دمای صفر و دماهای پایین مورد بررسی قرار می‌دهیم و نتایج را با تحرک‌پذیری سیستم گاز الکترونی دو بعدی مقایسه می کنیم. برای محاسبات از معادله ترابرد بولتزمن در تقریب زمان واهلش با در نظر گرفتن پتانسیل ناخالصی یونیزه شده استفاده شده است. اثر پارامترهای فیزیکی مربوطه متفاوت از قبیل عرض نانونوار، انرژی فرمی و چگالی ناخالصی بر روی تحرک بررسی شده است. در پایان تحرک الکترونی بر حسب تابعی از انرژی فرمی، فاصله میان ناخالصی با حامل‌ها و عرض نانونوار گالیم‌نیترید رسم شده است. همانطور که انتظار می‌رفت، نتایج عددی نشان می‌دهد که تحرک نانونوار گالیم‌نیترید برای عرض‌های خیلی بزرگ به سمت تحرک گاز الکترونی یک صفحه کاملاً دو بعدی میل می‌کند</span></span></span><span lang="FA" style="line-height:115%"><span b="" nazanin="" style="font-family:">.</span></span><span dir="LTR" style="font-size:14.0pt"><span style="line-height:115%"></span></span></span></span></span></span></span><br> &nbsp; <span style="font-size:11pt"><span style="line-height:115%"><span calibri="" style="font-family:"><span style="font-size:14.0pt"><span style="line-height:115%"><span new="" roman="" style="font-family:" times="">Nitrate compounds III-N with a wide band gap have an important role in the field of optoelectronics and electronic devices with high frequency and power. Gallium nitride (GaN) has emerged as one of the most important and widely used semiconducting material among them. In this article, the electron mobility in one dimensional nanoribbon gallium nitride in the presence of impurities has been investigated and we compare our results with electron mobility of two dimensional systems. The Boltzmann transport equation and relaxation time approximation with considering the ionized impurity potential are used in calculations. The influence of different relevant physical parameters such as width of nanoribbon strips, Fermi energy and impurity density on the mobility is examined. Finally the electron mobility as a function of Fermi energy, distance between impurity with carriers and width of nanoribbons for gallium nitride is plotted. As it is expected, numerical results show that the mobility of GaN nanoribbon for very large width move toward mobility in two dimensional electron gas.</span></span></span></span></span></span><br> &nbsp; تحرک‌الکترونی, پراکندگی ناخالصی یونیزه شده, معادله ترابرد بولتزمن, گالیم‌نیترید Fermi Energy, Gallium Nitride, Boltzmann Transport Equation, Nanoribbon. 34 43 http://jmrph.khu.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-271-1&slc_lang=fa&sid=1 Batol Sharafi بتول شرفی sharafi.batol@gmail.com 10031947532846001213 10031947532846001213 No Arak University of Technology دانشگاه صنعتی اراک Bahram Bahrami بهرام بهرامی bahrami@tafreshu.ac.ir 10031947532846001214 10031947532846001214 Yes Tafresh University دانشگاه تفرش Zeynab Kiamehr زینب کیامهر z.kiamehr@cmu.ac.ir 10031947532846001215 10031947532846001215 No Maritime University, Chabahar دانشگاه دریانوردی و علوم دریایی چابهار Mojtaba goodarzi مجتبی گودرزی m.goodarzi@arakut.ac.ir 10031947532846001216 10031947532846001216 No Arak University of Technology دانشگاه صنعتی اراک