دوره 6، شماره 2 - ( پاییز و زمستان 1400 )
جلد 6 شماره 2 صفحات 0-0 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
hosseini aghdam A, vatanpoor V. Adjusting the electrical gap of graphene-bromoindium phthalocyanine nanocomposite (RGO-BrInPc) by graphene reduction method. JMRPh 2022; 6 (2)
URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-212-fa.html
URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-212-fa.html
حسینی اقدم افسانه، عظیم عراقی محمد اسماعیل، وطن پور وحید. تنظیم گاف الکتریکی نانو کامپوزیت گرافن - برموایندیم فتالوسیانین (RGO-BrInPc) با روش احیای گرافن. نشریه پژوهش های نوین فیزیک. 1400; 6 (2)
چکیده: (807 مشاهده)
در این پژوهش، نانوکامپوزیت RGO-BrInPcبا احیای شیمیایی اکسید گرافن با استفاده از هیدرات هیدرازین در حضور بروموایندیوم فتالوسیانین (BrInPc) و سدیم دودسیل سولفات (SDS) سنتز شد. نتایج طیف‌سنجی FTIR و UV-Vis نشان داد که مولکول‌های BrInPc بر روی صفحات RGO توسط برهمکنش π-π متصل می‌شوند. خواص الکتریکی نانوکامپوزیت های RGO-BrInPc در محدوده دمایی 393- 298کلوین مورد بررسی قرار گرفت. سپس چندین دستگاه مسطح بین دیجیتالی با ضخامت 30 نانومتر و فاصله بین الکترودها 200 میکرومتر از نانوکامپوزیت RGO-BrInPc ساخته شد. تغییرات جریان برحسب دما در 3 ولت ثابت نشان داد که شکاف باند نانوکامپوزیت RGO-BrInPcبه عنوان تابعی از نرخ احیاء GO در نانوکامپوزیت تغییر می کند.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |