Hassanzadeh A, Saleh Khasraw S, Burhan Mohmed K, Ghaderi S, Hallaj R. Deposition of magnetic nanowires using Langmuir–Blodgett technique in the presence of an external magnetic field. JMRPh 2024; 9 (1) :8-17
URL:
http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-244-fa.html
حسن زاده عبدالله، صالح خسرو سیامند، برهان محمد کاشان، قادری سمیه، حلاج رحمان. لایه نشانی نانو سیم های مغناطیسی با روش لانگمور-بلاجت و در حضور میدان مغناطیسی خارجی. نشریه پژوهش های نوین فیزیک. 1403; 9 (1) :8-17
URL: http://jmrph.khu.ac.ir/article-1-244-fa.html
دانشگاه کردستان
چکیده: (67 مشاهده)
چینش و همآرایی کنترلشده نانوسیمها در توسعه و گسترش کاربرد آنها در اپتوالکترونیک، نانوالکترونیک، حسگرها و ادوات اسپینترونیک نقش بسیار مهمی دارد. چینش نانوساختارهای یکبعدی با استفاده از روشهای مختلفی مانند دستکارینوری، میکروسیالات، میدانهای الکتریکی و مغناطیسی انجام شده است. ما در این مقاله، از روش لانگمویر-بلاجت برای لایهنشانی نانوسیمهای مغناطیسی در حضور میدانمغناطیسی خارجی بر روی سطوح جامد استفاده کردهایم. پس از تمیز کردن نانوسیمهای مغناطیسی سنتز شده با روش رسوبالکتریکی با ولتاژ مستقیم و قالب اکسیدآلومینیم با قطر حفره 200 نانومتر، با استفاده از یک میکروسرنگ پلاستیکی آنها را روی سطح آب دو بار یونیزه شده در تشتک لانگمور (تفلونی) ریختیم. پس از متراکم سازی با دو میله متحرک، در یک فشار سطحی مشخص و در حضور میدانمغناطیسی خارجی ، فیلم های لانگمور به زیرلایههای جامد منتقل شدند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی تک لایهها نشان میدهند که نانوسیمها تقریبا هم جهت با میدانمغناطیسی قرار میگیرند. برای مقایسه فیلم نانوسیمها با روش قطره چکانی در حضور و غیاب میدانمغناطیسی خارجی و همچنین روش لانگمور- بلاجت در غیاب میدانمغناطیسی تهیه گردید. این مقایسه نشان داد که فقط با روش لانگمور- بلاجت میتوان فیلم تک لایه از نانوسیمها تهیه نمود. ارزانی، سرعت عمل بالا، لایهنشانی در مساحتهای بزرگ و همچنین تنوع در مورفولوژی تک لایهها از اهمیتها و مزایای روش لانگمور- بلاجت هستند.
نوع مطالعه:
پژوهشي |
موضوع مقاله:
تخصصي دریافت: 1403/9/25 | پذیرش: 1403/10/22 | انتشار: 1403/6/10